一种光热电转换存储器件及制备方法

专利类型: 
相变材料专利导航
公开(公告)号: 
CN105633261B
申请日: 
2016-01-04
申请局: 
CN
摘要: 
本发明公开了一种光热电转换存储器件及制备方法,包括:保温层(1)、相变储能材料层(3)、热电材料层(4)和散热层(5),保温层(1)的下部与热电材料层(4)上表面密封形成覆盖空间(2),覆盖空间(2)内部抽真空形,覆盖空间(2)内容纳相变储能材料层(3),相变储能材料层(3)与热电材料层(4)上表面形成良好的导热连接,散热层(5)与热电材料层(4)下表面形成良好的导热连接,热电材料层(4)上表面为高温面,下表面为低温面。本发明相对于传统光伏技术,可以实现在太阳能间断的情况下连续工作,同时自身可以进行储能,从而有效提升太阳能的利用效率,降低存储成本,在绿色能源技术领域具有广阔应用前景。
原始专利权人: 
四川大学
当前专利权人: 
四川大学