相变内存装置及其制造方法

本发明提供一种相变内存装置，包括：基板；金属栓塞和相变材料层，依序形成于上述基板上，其中上述金属栓塞电性连接于上述相变材料层；加热电极，形成于上述相变材料层上，其中上述加热电极电性连接于上述相变材料层；导电层，形成于上述加热电极上。