在硅片上复合VO2片状和多孔纳米结构的相变材料及其制备方法

本发明公开了一种在硅片上复合两种VO2纳米结构(片状和多孔状)的相变材料及其制备方法，其材料包括衬底，该衬底采用硅片，其衬底表面生长有VO2晶体；所述的VO2晶体沿垂直于硅衬底方向生长并呈单斜晶系结构；制备方法采用草酸水溶液加入五氧化二钒粉末置于高压釜中反应，得到VO2片状和多孔状纳米结构。本发明具有成本低，生长条件简单，重复性高等优点，且生成的VO2晶体具有特殊的纳米结构，能降低相变温度；且本发明采用硅片作为衬底，将VO2片状和多孔状纳米结构生长在硅衬底上，可结合目前成熟的半导体硅集成电路工艺，适合于集成纳米光电子器件。