专利类型: 相变材料专利导航公开（公告）号: CN101540370B申请日: 2009-04-23申请局: CN摘要: 本发明涉及一种GeTe/Sb2Te3纳米复合多层相变薄膜，所述GeTe/Sb2Te3纳米复合多层相变薄膜中GeTe薄膜和Sb2Te3薄膜交替排列。本发明的GeTe/Sb2Te3纳米复合多层相变薄膜既具有高相变速度又具有高热稳定性，且可有效提高相变存储器的开/关比，更好地保证数据读出的可靠性。原始专利权人: 同济大学当前专利权人: 同济大学
