热绝缘相变存储元件及其制造方法

专利类型: 
相变材料专利导航
公开(公告)号: 
CN101013737A
申请日: 
2006-11-09
申请局: 
CN
摘要: 
本发明公开了一种热绝缘存储元件,其包括存储单元,该存储单元包括多个电极,其间带有过孔;热绝缘体位于该过孔中并界定空洞延伸在电极表面之间。一种如相变材料等的存储材料,位于该空洞中并电耦接到这些电极以生成存储材料元件。该热绝缘体可帮助降低操作该存储材料元件所需要的电能。电极可接触到栓塞的外表面,以填补位于栓塞表面的不平整处的任何如孔洞型瑕疵等。本发明同时公开一种用于制造该元件并填补栓塞表面不平整处的方法。
原始专利权人: 
旺宏电子股份有限公司
当前专利权人: 
旺宏电子股份有限公司