薄膜相变存储单元及其制造方法

一种包括半导体部件和相变材料的存储单元。所述半导体部件限定了凹槽，所述凹槽将所述半导体部件分成第一电极和第二电极。所述相变材料至少部分地填充此凹槽并用于电连接所述第一和第二电极。所述相变材料的至少一部分可用于在较低和较高电阻状态之间切换，以响应将开关信号施加到所述第一和第二电极中的至少一个电极。