专利类型:
相变材料专利导航
公开（公告）号:
WO2006079952A1
申请日:
2006-01-19
申请局:
IB
摘要:
L'invention porte sur une résistance à changement de phase possédant un matériau à changement de phase (PCM), la transition de phase se produisant à l'intérieur du matériau à changement de phase et non au niveau de l'interface avec une électrode de contact. Pour faciliter la fabrication du matériau à changement de phase, une structure de ligne allongée (210) est entourée d'électrodes conductrices (200, 240) sur ses côtés latéraux et est formée selon un procédé backend CMOS. Une variante à ce procédé est de former le dispositif couplé directement à d'autres pièces du circuit sans les électrodes. Dans chaque cas, il existe une ligne du matériau à changement de phase qui a un diamètre constant ou section transversale constante, formée avec des dimensions réduites en utilisant un espaceur tel qu'un masque dur. La première et la seconde électrode de contact sont raccordées électriquement par une couche « unidimensionnelle » du matériau à changement de phase. La résistance de contact entre la couche unidimensionnelle du matériau à changement de phase et la première électrode, au niveau de la seconde électrode de contact, est inférieure à la résistance d'une section centrale ou intermédiaire de la ligne.
原始专利权人:
NXP B.V.
当前专利权人:
NXP B.V.