相変化材料および相変化型メモリ素子

実用性に優れた相変化型メモリ素子を得るために適した新規組成を有する相変化材料、およびそれを用いた相変化型メモリ素子を得るために、相変化材料は、Ｃｒ、Ｇｅ及びＴｅを主成分とし、結晶相における抵抗値がアモルファス相における抵抗値よりも大きい性質を有する。相変化型メモリ素子は、基板と、この基板の上部にＣｒ、Ｇｅ及びＴｅを主成分とし、結晶相における抵抗値がアモルファス相における抵抗値よりも大きい相変化材料で形成したメモリ層と、このメモリ層に通電するための第１、第２の電極層とを備える。