半导体器件及其制造方法

专利类型: 
相变材料专利导航
公开(公告)号: 
CN101339919B
申请日: 
2008-07-04
申请局: 
CN
摘要: 
一种半导体器件,包括用于防止器件遭受由于过热而引起的故障的相变材料。该半导体器件适用于检测由于发热造成的电流的迅速增长,且同样适用于通过在半导体器件中实际工作的单元的内部或外部沉积相变材料来断开检测到的电流迅速增长的电路。
原始专利权人: 
东部高科股份有限公司
当前专利权人: 
东部高科股份有限公司