专利类型:
相变材料专利导航
公开（公告）号:
WO2006110518A3
申请日:
2006-04-06
申请局:
US
摘要:
On peut former une mémoire de changement de phase de deux couches verticalement espacées de matériau à changement de phase. Un matériau diélectrique intermédiaire peut espacer ces couches entre elles le long d'une partie importante de leur extension latérale. Une ouverture peut-être prévue dans ce matériau diélectrique intermédiaire pour permettre aux couches de changement de phase de se rapprocher entre elles plus étroitement. Par conséquent, la densité de courant peut-être augmentée à cet endroit, produisant un chauffage.
原始专利权人:
INTEL CORPORATION
当前专利权人:
INTEL CORPORATION