用以對相變材料記憶體裝置執行寫入操作之技術及裝置

一种技术包括有响应于一请求来写入资料于一相变材料记忆体(33)之记忆体晶胞(140)中，将该记忆体晶胞(140)置于与该等记忆体晶胞(140)共用的一状态。再者，响应与此请求，该资料被写入该记忆体晶胞(140)中。