一种基于光热电效应的光探测器

专利类型: 
相变材料专利导航
公开(公告)号: 
CN110473956A
申请日: 
2019-08-21
申请局: 
CN
摘要: 
本发明涉及一种基于光热电效应的光探测器,该探测器包括基底、热电材料层、电极,热电材料层和电极设置在基底上,热电材料层的两端连接电极,在热电材料层的任一端的上面设置有相变材料层,相变材料层上还设置微结构层。微结构层用以吸收光,并将光转化为热。这些热通过相变材料层传导到热电材料层。因为相变材料层的热传导性能或者吸收光的性能严重地依赖于温度,所以在热电材料层两端测得的电势差更严重地依赖于微结构层所吸收的光。这种级联放大的效果提高了光探测的灵敏度。
原始专利权人: 
金华伏安光电科技有限公司
当前专利权人: 
金华伏安光电科技有限公司