专利类型:
相变材料专利导航
公开（公告）号:
JP2019153621A
申请日:
2018-02-28
申请局:
JP
摘要:
【課題】実用性に優れた相変化型メモリ素子を得るために適した新規な組成を有する相変化材料、および相変化材料を用いた相変化型メモリ素子を提供する。【解決手段】相変化材料は、一般化学式、 ＭｎxＴｅ100-xで示される組成を有し、式中、ｘは４５．０〜６５．０（ａｔ．％）の範囲内で選択されている組成物を含んでなり、加熱に応じて、第１結晶相と第１結晶相よりも電気抵抗が低い第２結晶相との間で相変化する。【選択図】図１
原始专利权人:
国立大学法人東北大学
当前专利权人:
Tohoku University NUC