非揮發性記憶裝置及其製造方法

本发明于包含相变记忆体之非挥发性记忆装置中，提供一种可实现即便使相变材料变成高温，二极体仍不易变成高温之记忆胞构造的技术，该相变记忆体系借由组合有由相变材料所组成之记忆元件与由二极体所组成之选择元件之交叉点型记忆胞而构成。于沿著第1方向延伸之复数第1金属布线2与沿著与第1方向正交之第2方向延伸之复数第3金属布线9之交点，配置借由由相变材料7所组成之记忆元件及由叠层构造之二极体所组成的选择元件而构成之记忆胞，该叠层构造系第1多晶矽膜3、第2多晶矽膜4及第3多晶矽膜5之叠层构造；于邻接之选择元件之间及邻接之记忆元件之间形成层间膜(例如第2层间膜11)，于设置于邻接之记忆元件之间之层间膜形成空隙(例如空隙12b)。