一种B-Sb-Te相变材料、相变存储单元及其制备方法

本发明公开了一种B‑Sb‑Te相变材料、相变存储单元及其制备方法。所述相变材料包含硼、锑、碲三种元素，其化学通式为Bx(Sb2Te3)y。所述相变存储单元至少包括底电极层、顶电极层及位于两者之间的相变材料层，所述相变材料层采用B‑Sb‑Te相变材料。制备方法为：制备底电极层；在底电极层上采用磁控溅射法、化学气相沉积法、原子层沉积法或电子束蒸镀法制备相变材料层；在相变材料层上制备顶电极层。本发明具有较好的热稳定性、结晶速度、数据保持力、密度变化率、低阻态稳定性和电性能，通过调节元素比例，可以得到热稳定性、数据保持力、结晶速度、密度变化率、晶粒尺寸更加优化的相变材料，其在相变或加工过程中不易挥发。