纳米复合堆叠相变薄膜及其制备方法和应用

本发明涉及纳米复合堆叠相变薄膜及其制备方法和应用，由Ge2Sb2Te5薄膜和ZnSb薄膜交替排列成堆叠薄膜单元，所述的Ge2Sb2Te5薄膜的厚度为15‑35nm，所述的ZnSb薄膜的厚度为15‑35nm，交替排列成堆叠薄膜单元为一层结构，可以在具有多级存储特点的相变存储器中的应用。与现有技术相比，本发明存在两次稳定的相变过程，三个存储态，能大大提高PCRAM的存储密度；具有较高的晶化温度和十年数据保持温度，从而能够极大改善PCRAM的热稳定性。