在硅衬底上复合带状VO2纳米花结构的相变材料及制备方法

本发明公开了一种在硅衬底上复合带状VO2纳米花结构的相变材料及其制备方法，其材料包括硅衬底和生长在硅衬底上的VO2晶体，所述VO2晶体沿垂直于硅衬底方向生长、为带状纳米花结构并由纳米带定向生成；制备方法是将偏钒酸铵加入草酸水溶液，然后将硅片浸渍于所述的水溶液中，在密闭状态下，150～180℃反应24～36小时，自然冷却至18～25℃，得到所述相变材料。本发明制备的材料作为Li电池的阴极材料具有很好的充放电性能和循环伏安性能，材料充放电稳定，可重复使用。本发明具有成本低，生长条件简单，重复性高，安全等优点，适合于大规模工业化生产。