多态镓锑-硒化锡多层纳米复合相变材料及其制备和应用

本发明涉及多态镓锑‑硒化锡多层纳米复合相变材料及其制备和应用，为Ga30Sb70／SnSe2纳米复合多层相变薄膜，由SnSe2薄膜和Ga30Sb70薄膜交替排列成多层薄膜结构，其中SnSe2薄膜的厚度为5～35nm，Ga30Sb70薄膜的厚度为5～35nm；Ga30Sb70/SnSe2纳米复合多层相变薄膜的总厚度为50‑70nm，采用磁控溅射法制备得到，可以应用在具有多态性能的高密度相变存储器中。与现有技术相比，本发明具有多级相变特性，能大大提高PCRAM的存储密度；具有更高的晶态及非晶态电阻，能降低PCRAM的操作功耗；相比传统相变存储材料热稳定性提高，晶化速度加快。