纳米复合Ti-Ge-Te相变存储薄膜材料及其制备方法和应用

本发明公开一种纳米复合Ti‑Ge‑Te相变存储薄膜材料及其制备方法和应用，该薄膜材料的化学组成符合化学通式Tix(GeyTe1‑y)1‑x，其中，0.08≤x<0.3，0.4<y<0.6，薄膜厚度30~100 nm。本发明通过磁控溅射的方法在Ge‑Te合金中掺入Ti杂质，通过调控Ti、Ge和Te元素的原子百分比，提高Ti‑Ge‑Te相变薄膜的相变温度和晶态电阻率，细化薄膜的晶粒尺寸和减小相变过程中的密度变化，获得的Ge‑Te基相变存储薄膜材料具有高热稳定性、高可靠性和低功耗的优势。