新型相变存储单元结构及其制备方法

本发明公开了一种新型相变存储单元结构及其制备方法。该新型相变存储单元结构包括依次沉积于衬底上的第一电极层、氮化物绝缘材料层、相变材料层和第二电极层，该绝缘材料层内设置有加热电极，所述加热电极分别与第一电极层和相变材料层电性接触，并且相变材料层还与第二电极层电性接触。该加热电极优选采用氮化物加热电极。本发明通过采用氮化物绝缘材料层包覆加热电极，能够有效阻止加热电极被氧化，避免出现加热电极阻值不稳定和相变存储器件失效的问题，提高了器件成品率，并大幅降低了器件功耗，且本发明在应用于相变存储器中时，还具有低功耗、高密度和高稳定性等特点，是一种可实现对信息的写入，擦除和读出功能的非易失性半导体存储器。