单晶相变材料

一种制造相变存储器（PCM）单元的方法，包括：在电极之上形成电介质层，电极包括电极材料；在电介质层中形成通孔，使通孔向下延伸到该电极；以及在通孔中的电极上生长相变材料的单晶。一种相变存储器（PCM）单元，包括：包含电极材料的电极；电极之上的电介质层；电介质层中的通孔；以及位于通孔中的相变材料的单晶，该单晶与通孔底部的电极接触。