一种Si‑Sb‑Se纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途

本发明属于半导体材料领域，公开了一种Si‑Sb‑Se纳米相变薄膜材料，所述相变薄膜材料化学组成通式为Six(Sb2Se)1‑x,其中0.05≤X<0.50；通过叠放的Si片的直径来控制Six(Sb2Se)1‑x中Si的成分比，采用室温高真空磁控溅射的方法沉积而成。本发明的Si‑Sb‑Se相变材料，不含有Te元素，属环境友好型材料；同时，Si‑Sb‑Se还具有超高的热稳定性、较低的功耗和较快的相变速度，是理想的相变存储材料，具有较好的市场应用前景。