控制相变材料或相变存储单元体积变化的方法及相应结构

本发明涉及一种控制相变材料或相变存储单元体积变化的方法及相应结构，其特征在于在25℃～400℃的温度区间通过退火改善相变存储单元中的相变材料自身结构变化引起的体积变化；在400℃～650℃温度区间通过相变存储单元的结构的改进，在相变材料周围包裹一层阻挡层材料，阻止相变材料在加热过程中的扩散、挥发。本发明还提供了相应的相变存储单元结构上的改进。