一种氧化钛纳米阵列复合相变材料及其制备方法和应用

专利类型: 
相变材料专利导航
公开(公告)号: 
CN109054764A
申请日: 
2018-08-24
申请局: 
CN
摘要: 
本发明公开了一种氧化钛纳米阵列复合相变材料及其制备方法和应用,其中,该相变材料含有氧化钛纳米阵列以及负载在所述氧化钛纳米阵列上的有机相变材料,其中,所述有机相变材料的含量为10‑90wt%,所述氧化钛纳米阵列的含量为10‑90wt%。本发明将氧化钛纳米阵列作为载体,将相变材料与所述载体复合,形成氧化钛纳米复合相变材料。制备出的复合相变材料相变温度区间变窄、焓值明显提高,且能量对称性提高,能量利用率增大。并且由于相变材料进入阵列内部,使得液态相变材料的流动受限,能量更加集中,使得复合后的相变材料过冷度下降。对于解决目前相变材料在热能储存方面存在的诸多问题,具有良好的商业前景。
原始专利权人: 
沈阳航空航天大学
当前专利权人: 
沈阳航空航天大学