MATÉRIAU À CHANGEMENT DE PHASE MONOCRISTALLIN

L'invention porte sur un procédé pour fabriquer une cellule de mémoire à changement de phase (PCM) qui comprend la formation d'une couche diélectrique sur une électrode, l'électrode comprenant un matériau d'électrode ; la formation d'un trou d'interconnexion dans la couche diélectrique de telle sorte que le trou d'interconnexion se prolonge vers le bas, jusqu'à l'électrode ; et le fait de faire croître un cristal unique d'un matériau à changement de phase sur l'électrode dans le trou d'interconnexion. L'invention porte aussi sur une cellule de mémoire à changement de phase (PCM) qui comprend une électrode comprenant un matériau d'électrode ; une couche diélectrique sur l'électrode ; un trou d'interconnexion dans la couche diélectrique ; et un cristal unique d'un matériau à changement de phase placé dans le trou d'interconnexion, le cristal unique étant en contact avec l'électrode au fond du trou d'interconnexion.