专利类型:
相变材料专利导航
公开（公告）号:
KR102077641B1
申请日:
2013-08-06
申请局:
KR
摘要:
상변화 물질막, 이를 포함하는 상변화 메모리 소자 및 이들의 제조 방법을 개시한다. 상변화 물질막은 게르마늄(Ge), 안티몬(Sb), 텔루륨(Te) 및 적어도 하나 이상의 불순물을 포함한다. 상기 불순물의 원자 농도 a는 0 < a ≤ 0.25이다. 상기 안티몬의 원자 농도 c는 0.03 < c ≤ 0.15이다.
原始专利权人:
삼성전자주식회사
当前专利权人:
삼성전자주식회사