一种含锗硫系化合物的电化学制备方法

本发明涉及相变材料薄膜制备领域，更具体地，涉及一种含锗硫系化合物的电化学制备方法。本发明在电解液配置过程中加入络合剂以实现锗和硫系元素的共沉积，通过在电解液配置过程中调节电解液pH值及沉积过程中控制反应速率来抑制析氢反应对沉积的影响，解决了含锗硫系化合物沉积过程中出现的因锗元素与硫系元素还原电位差过大及析氢反应使其无法有效共沉积的难题，并在多种环境下实现碲化锗薄膜的沉积。这种沉积方法成本低廉，工艺简单，可灵活调控生长薄膜的结晶取向。