自校准温度传感器芯片及其制备方法

专利类型: 
相变材料专利导航
公开(公告)号: 
CN110017911B
申请日: 
2019-04-04
申请局: 
CN
摘要: 
本发明提供了一种自校准温度传感器芯片及其制备方法。该自校准温度传感器芯片包括衬底、至少一种相变材料、测温电阻以及加热电阻,衬底具有相对的第一表面和第二表面,衬底还具有与第一表面连通的至少一个凹槽;各凹槽中密封设置有一种相变材料,各相变材料具有不同的相变温度;测温电阻与第二表面连接;加热电阻与第一表面连接,并靠近凹槽设置,用于加热相变材料。利用上述自校准温度传感器芯片能够在不破坏传感器结构的情况下进行温度自校准,实现温度检测的准确性,避免长期工作后出现测温不准确的情况发生。
原始专利权人: 
中国科学院微电子研究所
受让人: 
北京中科微投资管理有限责任公司
当前专利权人: 
北京中科微投资管理有限责任公司