半導體裝置以及製造其之方法

一种诸如相变记忆体装置之半导体装置包括：一半导体基板，其包括一主动区域；一传导图案，其经安置以曝露该主动区域；一层间介电图案，其提供在该传导图案上且包括一形成在该曝露之主动区域上的开口及一与该开口隔开以曝露该传导图案的接触孔；一半导体图案及一加热器电极图案，其电连接至该曝露之主动区域且提供在该开口中；一接触栓塞，其连接至该曝露之传导图案且经提供以填充该接触孔；及一相变材料层，其提供在该加热器电极图案上。