功率半导体模块结构

专利类型: 
相变材料专利导航
公开(公告)号: 
CN110379787A
申请日: 
2019-07-22
申请局: 
CN
摘要: 
本发明提出了一种功率半导体模块结构,所述功率半导体模块结构包括绝缘基板、半导体芯片、金属件和相变材料;相变材料和半导体芯片能通过金属件进行热交换,由于相变材料的吸热和放热作用,电路启停周期中,半导体芯片的温升和降温速率都会得到减缓;本发明的有益技术效果是:提出了一种功率半导体模块结构,该方案可有效降低电路启停周期中、半导体芯片的温差。
原始专利权人: 
重庆大学
当前专利权人: 
重庆大学