一种Ca掺杂碲化锑超稳相变存储薄膜材料及其制备方法

本发明公开了一种Ca掺杂碲化锑超稳相变存储薄膜材料及其制备方法，特点是该相变薄膜材料为钙、锑、碲三种元素组成的混合物，其化学结构式为Cax(Sb2Te3)100‑x，其中0<x<17.6 at%，通过磁控溅射镀膜系统，采用双靶共溅射方式制备得到Cax(Sb2Te3)100‑x相变存储薄膜材料，优点是该Ca‑Sb2Te3相变薄膜具有较高的结晶温度、较大的析晶活化能、较好的十年数据保持能力，该相变薄膜具有较高的结晶温度，较大的析晶活化能，较好的十年数据保持力，且电阻漂移系数较低，从而改善相变材料在非晶态下的电阻漂移现象。