一种基于高导热相变材料相变散热技术的封装结构的制备方法

本发明属于集成电路封装技术领域，涉及一种晶圆级封装中芯片的主动散热技术领域。本发明实施例中，基于高导热相变材料相变散热技术的封装结构的制备方法，其特征在于，包括：采用标准刻蚀工艺在晶圆级芯片背面制作凹槽或盲孔；在晶圆级芯片背面凹槽或盲孔内放入作为传热媒介的高导热相变材料；晶圆级芯片背面焊接上盖板进行封帽,保证高导热相变材料在相态转变过程中不溢出封装体结构；通过常规划片工艺得到具有相变散热结构的单芯片。