专利类型:
相变材料专利导航
公开(公告)号:
CN105679934B
申请日:
2016-04-12
申请局:
CN
摘要:
本发明公开一种多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用,该材料由单层Sn2Se3薄膜和单层Sb薄膜交替排列,将一层Sn2Se3薄膜和一层Sb薄膜作为一个交替周期,后一个交替周期的Sn2Se3层沉积在前一个交替周期的Sb层的上方;该薄膜材料的膜结构通式为[Sn2Se3(a)/Sb(b)]x,其中a、b分别表示所述单层Sn2Se3薄膜、单层Sb薄膜的厚度,1nm≤a≤50nm,1nm≤b≤50nm,x表示单层Sn2Se3和单层Sb薄膜的交替周期数或者交替层数,且x为正整数。该相变薄膜材料利用Sb作为结晶诱导层,可以加快相变材料的相变速度,同时结合了Sn2Se3熔点低、热稳定性好的优点;再次,利用多层纳米复合结构中多层界面的夹持效应,可以减小晶粒尺寸,从而缩短结晶时间,抑制晶化,在提高热稳定性的同时加快相变速度。
原始专利权人:
苏州工业职业技术学院
受让人:
昆山模之特电子材料有限公司
当前专利权人:
昆山模之特电子材料有限公司