一种提高GeSbTe相变性能的技术及其薄膜制备方法

本发明提出一种提高Ge-Sb-Te相变性能的技术及其薄膜制备方法。通过对Ge-Sb-Te相变材料加入TiN形成化合物，其化学式为 （TiN）1-X-（Ge-Sb-Te）X（其中0.1＜X＜1），可以提高Ge-Sb-Te相变材料的热学和电学性能。Ge-Sb-Te相变材料结晶温度（~160oC）、热稳定性和数据保持能力不太理想，一直制约着Ge-Sb-Te在相变存储材料中的应用。TiN材料具有很好的热稳定性，通过两种合金材料的复合，得到一种新材料（TiN）1-X-（Ge-Sb-Te）X，这种材料具有比Ge-Sb-Te相变材料更好的电学性能，同时又有更好的热稳定性和数据保持力。