一种相变材料、相变存储单元及其制备方法

本发明提供一种相变材料、相变存储单元及其制备方法，其中，相变材料包括钽元素、锑元素及碲元素，相变材料的化学式为TaxSbyTez，其中，x、y、z均指元素的原子百分比，且1≤x≤25，0.5≤y:z≤3，x+y+z＝100。本发明的TaxSbyTez相变薄膜材料具有相变速度快、热稳定性突出、数据保持能力强、循环寿命长、成品率高等特点，其中，Ta5.7Sb37.7Te56.6具有165℃的十年数据保持力，将其应用于相变存储器中器件单元具有6ns的操作速度和高于100万次的擦写次数。同时，本发明的TaxSbyTez相变材料的晶粒非常小，在400℃退火处理30分钟后，晶粒尺寸依然小于30纳米，这对于器件的稳定性、低功耗、成品率非常重要。本发明的相变存储器单元的制备方法与CMOS工艺相兼容，便于精确控制相变材料的成分。