一种Cr-Sb相变存储材料及其制备与应用

本发明属于微电子技术领域，公开了一种Cr‑Sb相变存储材料及其制备与应用，该Cr‑Sb相变存储材料化学组成通式为CriSbj，其中，i、j分别对应着Cr原子、Sb原子在该Cr‑Sb相变存储材料中的原子百分比，并且5≤i≤30,70≤j≤95，i+j＝100。本发明通过在单晶Sb中掺入Cr，得到化学组成通式为CriSbj的Cr‑Sb相变存储材料，Cr与Sb的化合带来了一系列材料性质的变化，由此实现了具备热稳定性和异常光学性质的二元Cr‑Sb相变存储材料，能够改善非晶的稳定性，提高相变材料的结晶温度，以此来提高相变存储材料的热稳定性，尤其适用于在相变存储器、人工神经网络或抑制性突触器件中应用。