专利类型:
相变材料专利导航
公开（公告）号:
KR100558006B1
申请日:
2003-11-17
申请局:
KR
摘要:
니켈 샐리사이드 공정 및 이를 사용하여 반도체소자를 제조하는 방법을 제공한다. 상기 니켈 샐리사이드 공정은 실리콘을 함유하는 절연 영역 및 실리콘 영역을 모두 구비하는 기판을 준비하는 것을 구비한다. 상기 기판 상에 니켈을 증착하고, 상기 니켈을 300℃ 내지 380℃의 제1 온도에서 열처리하여 상기 실리콘 영역 상에 선택적으로 모노 니켈 모노 실리사이드막을 형성함과 동시에 상기 절연 영역 상에 미반응된 니켈막(unreacted nickel layer)만을 남긴다. 상기 미반응된 니켈막을 선택적으로 제거하여 상기 절연 영역을 노출시킴과 동시에 상기 실리콘 영역 상에 상기 모노 니켈 모노 실리사이드막만을 남긴다. 이어서, 상기 모노 니켈 모노 실리사이드막을 상기 제1 온도보다 높은 400℃ 내지 500℃의 제2 온도에서 열처리하여 상기 모노 니켈 모노 실리사이드막의 상변이(phase transition) 없이 열적으로 안정한(thermally stable) 모노 니켈 모노 실리사이드막을 형성한다.
原始专利权人:
삼성전자주식회사
当前专利权人:
삼성전자주식회사