一种C-Ti-Sb-Te相变材料

本发明提供一种C‑Ti‑Sb‑Te相变材料，所述C‑Ti‑Sb‑Te相变材料为包括碳、钛、锑及碲四种元素的化合物，所述C‑Ti‑Sb‑Te相变材料的化学式为Cz[Tix(SbyTe100‑y)100‑x]100‑z；其中，0<x<50，0<y<100及0<z<50，x表示钛元素的原子百分比，y表示锑元素的原子百分比，z表示碳元素的原子百分比；本发明的C‑Ti‑Sb‑Te相变材料可作为相变薄膜材料；C‑Ti‑Sb‑Te相变材料结晶温度较高、数据保持能力强；应用于相变存储器中有助于提高相变存储器单元的稳定性及有助于降低相变存储器单元的RESET功耗。