在相变存储单元中形成相变层

相变存储器单元包括半导体主体上相变材料的相变层。硬掩模结构在相变层上形成，且抗蚀掩模在硬掩模结构上形成。硬掩模通过使用抗蚀掩模成形硬掩模结构而形成。相变层使用硬掩模成形。抗蚀掩模在成形相变层之前被去除。