一种杨桃状VO2组成的多孔纳米板相变材料及其制备方法

专利类型: 
相变材料专利导航
公开(公告)号: 
CN101955751A
申请日: 
2010-10-15
申请局: 
CN
摘要: 
本发明公开了一种杨桃状VO2组成的多孔纳米板相变材料,该多孔纳米板相变材料是由杨桃状VO2纳米结构相互间结合、嵌套生长而构成,其厚度为1-5个微米左右,长宽尺度的范围为10-60微米。本发明还公开了该多孔纳米板相变材料的制备方法。本发明杂质少,操作简便,成本低,高重复性,可适用于大规模的工业生产,在纳米光电子领域和智能温控节能领域具有广阔的应用前景。
原始专利权人: 
华东师范大学
当前专利权人: 
华东师范大学