相变存储装置及其制造方法

一种相变存储装置，包括：基板，其包括叠层结构，上述叠层结构包括多个绝缘层和多个导电层，其中任两层相邻的上述导电层被上述多个绝缘层的其中之一隔开；第一电极结构，形成于上述叠层结构上，且上述第一电极结构具有第一侧壁和第二侧壁；多个加热电极，设置于多个上述导电层上，且邻接于上述第一电极结构的上述第一侧壁和上述第二侧壁；以及一对相变材料间隙壁，设置于上述第一电极结构的上述第一侧壁和上述第二侧壁上，且覆盖于上述多个加热电极上。