在硅衬底上复合刺猬状VO2纳米结构的相变材料及制法

本发明提供了一种在硅衬底上复合刺猬状VO2纳米结构的相变材料及制法，所述相变材料，包括硅片衬底和生长在所述硅片衬底上的VO2晶体，所述VO2晶体沿垂直于硅衬底方向生长。所述VO2晶体为刺猬状结构，由纳米线定向生成。本发明可结合目前成熟的半导体硅集成电路工艺，适合于集成纳米光电子器件的发展。并具有成本低，生长条件简单，重复性高，安全等优点，适合于大规模工业化生产。