一种纳米复合相变材料及其制备与应用

本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种纳米复合相变薄膜及其制备与应用。本发明的纳米复合相变材料用HfO2与相变材料复合而成，其中，HfO2的重量百分比为12-36％，相变材料的重量百分比为64-88％。本发明的纳米复合相变薄膜应用到存储器中，有利于实现高密度存储，提高了相变存储器的编程过程中的加热效率，降低了其功耗，提升了数据保持能力、疲劳特性和抗辐照能力。