一种Ti掺杂Sn2Se3相变材料的制备方法

本发明提供一种Ti掺杂Sn2Se3相变材料的制备方法，其先采用磁控溅射法制得纯相Sn2Se3薄膜，再将高纯Ti片贴于纯相Sn2Se3薄膜上，采用磁控共溅射法制得Ti掺杂Sn2Se3相变材料。本发明的Ti掺杂Sn2Se3相变材料的制备方法通过在纯相Sn2Se3薄膜的基础上掺入一定比例的Ti杂质，从而改善了纯相Sn2Se3的相变特性，相对于纯相Sn2Se3，本发明所制Ti掺杂Sn2Se3相变材料的相变温度提高了100℃左右，晶态电阻比保持在4‑5个数量级，晶态电阻得到提高，在亚稳态下变的更为稳定。