电子器件相变温控组件相变材料的灌注方法

专利类型: 
相变材料专利导航
公开(公告)号: 
CN111574965A
申请日: 
2020-03-30
申请局: 
CN
摘要: 
本发明提出的一种基于真空发生器的相变材料灌注方法,旨在提供一种基于真空发生器产生真空环境并能进一步提升现有相变温控组件中相变材料填充率的工艺方法,本发明通过下述技术方法予以实现:以孔隙率>92%的泡沫金属与石蜡组合作为填充相变储热材料;制备种以上兼具有无机相变材料和有机相变材料的相变复合材料储热单元;然后将相变温控组件毛坯密封腔体置于真空熔灌烘箱的底端,连接真空发生器,同时连通注入压缩空气的灌注容器;加热相变储热材料至全部融化为液态;真空发生器利用正压气源,吸附腔在管道内通正压气体而产生负压,形成一定真空度;通过真空减压阀控制通入压缩空气的灌注容器,将相变储热材料注入相变温控组件内参与相变。
原始专利权人: 
西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
当前专利权人: 
西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)