专利类型:
相变材料专利导航
公开(公告)号:
CN207250498U
申请日:
2017-08-08
申请局:
CN
摘要:
本实用新型公开了一种相变储能均热片,包括均热层、设置在所述均热层上的相变储能层;所述均热层上界定出一个安装用于热源的安装位,所述相变储能层位于所述安装位的外围。本实用新型的相变储能均热片,将均热和相变储能相结合,均热部分能迅速的将芯片等热源的热量传递给相变储能部分(相变温度30‑90℃),相变储能部分通过相变吸热存储热量,降低芯片瞬间温升幅度,保证芯片正常工作。
原始专利权人:
深圳市飞荣达科技股份有限公司
当前专利权人:
深圳市飞荣达科技股份有限公司