半导体器件以及该半导体器件的制造方法

本发明提供了一种半导体器件及该半导体器件的制造方法。该半导体器件包括：下电极；触点，其连接至该下电极以具有双沟槽结构；相变材料层，其容置在该双沟槽中以根据由该触点传递的热的变化产生晶态和非晶态之间的相变；以及上电极，其连接至该相变材料层。